东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封装的新型栅极驱动光电耦合器“TLP5832”。该产品提供2.5A峰值输出电流，可直接驱动中级IGBT。出货即日启动。
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新IC采用SO8L封装，封装高度比东芝采用SDIP6和DIP8(LF1选项)封装的现有产品降低约54%，可为封装高度有限的电路板安装提供支持，同时有助于实现芯片组小型化。尽管尺寸小，但是该IC可保证爬电距离和至少8mm的电气间隙，使其适合需要高隔离性能的应用。
此外，该新型栅极驱动光电耦合器可在–40至+110摄氏度的全部工作温度范围内保证传输延迟和传输偏差。可通过降低温度裕度实现逆变器电路的高效设计。
根据2015年和2016年的销售额，Gartner最新市场报告肯定了东芝作为光耦合器领先制造商的地位。2016财年，东芝相关产品占有23%的销售市场份额。(资料来源：Gartner,Inc.“市场份额：2016年全球半导体设备和应用”，2017年3月30日。)
东芝将根据市场趋势促进多样化光电耦合器和光继电器产品组合的开发，继续提供满足客户需求的产品。
应用场合
·IGBT/MOSFET驱动
·工业变频器
·太阳能变频器
·伺服放大器
·空调变频器
特点
·薄型SO8L封装，厚度为2.3mm
·爬电距离/电气间隙：8mm(最大值)
·具备长寿命特点的LED
·高工作温度：Topr=110°C(最大值)
·峰值输出电流：IOPH，IOPL=±2.5A(最大值)
主要规格
(除非另作说明，Ta=-40-110℃。所有典型值条件为Ta=25℃)
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