具高功率特性的氮化镓(GaN)，将可满足5G对功率放大器(PA)的高频需求，并具有超越砷化镓(GaAs)的十足潜力。未来氮化镓将逐步在手机的5G功率放大器中出现，基地台的功率放大器应用也是其另一项发展主力。

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络达科技技术长林珩之表示，5G基地台的功率放大器将会以砷化镓与氮化镓制程为主，因其是功率主导(PowerHandle)，并以表现度为主要衡量指针。但这样的制程需更多的校准(Calibration)程序，成本会比较高。不过，基地台的整体数量相较于手机应用是比较少的，因此即便其成本略高，仍在客户能接受的范围内。

林珩之指出，功率主导的特性，更将促使氮化镓比砷化镓来得更有优势，因频率更高，往往得靠氮化镓才有办法做到。到了5G时代，氮化镓将很有机会取代横向扩散金属氧化物半导体(LateralDiffusedMOS,LDMOS)。

而在手机功率放大器部分，目前2G是以互补式金属氧化物半导体(CMOS)制程为主，3G、4G则是砷化镓制程，5G因为高频的关系，络达十分看好氮化镓制程，该技术同时还能让电压撑得更久。

林珩之分析，未来5G时代，手机功率放大器采用的半导体制程，预估将会是砷化镓/氮化镓占一半、CMOS占一半。小于6GHz频段的半导体技术，会是以砷化镓与氮化镓制程为主，因天线与电磁波的波长是成正比的，且高频的天线比较大，也就须采用高功率的技术来达成，因此很有机会变成砷化镓与氮化镓制程的天下。

林珩之进一步指出，氮化镓制程有办法支撑很高的功率，这是CMOS无法做到的。除非5G技术有办法运用小功率在空中进行融合，CMOS制程才会有机会涵盖到这部分的市场。但在5GmmWave频段，则会是以CMOS制程为主。林珩之进一步表示，因mmWave频段采用的天线比较小，就会是以CMOS制程为主，像是CPU、GPU、ASIC等，该制程与化合物半导体很不相同，价格会比砷化镓/氮化镓制程来得低。

此外，CMOS制程的应用领域也比较宽广，目前在交换器(Switch)上便使用得相当广泛，而采用氮化镓制程的交换器就比较难做，因其是属于双极性接面型晶体管(BipolarJunctionTransistor,BJT)。物联网这类以价格为主要驱动的应用，由于对功率的要求比较低，也会是CMOS制程所能发挥的地方。

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